Se Fgl60N100 Fgl60N100Bntd 60N100 Tranzystor Igbt Do Spawarki 1000V 60A To264 FGL60N100SE Halinów

Tranzystor IGBT G60N100 Model FGL60N100BNTD Oznaczenie FGL60N100 Typ tranzystora IGBT z szybkim diodą zwrotną (Trench IGBT) Napięcie kolektor-emiter (VCES) 1000 V Prąd kolektora (IC) 60 A (przy 100°C – 30 A) Moc strat (Ptot) 250 W Napięcie nasycenia VCE(sat) typ. 2.1 V przy 60 A Czas wyłączania …

od 47 Najbliżej: 12 km

Liczba ofert: 1

Oferta sklepu

Opis

Tranzystor IGBT G60N100 Model FGL60N100BNTD Oznaczenie FGL60N100 Typ tranzystora IGBT z szybkim diodą zwrotną (Trench IGBT) Napięcie kolektor-emiter (VCES) 1000 V Prąd kolektora (IC) 60 A (przy 100°C – 30 A) Moc strat (Ptot) 250 W Napięcie nasycenia VCE(sat) typ. 2.1 V przy 60 A Czas wyłączania (turn-off delay) typ. 220 ns Wbudowana szybka dioda zwrotna (Fast Recovery Diode – FRD) Obudowa TO-264 Waga 9.6g Zdjęcia realne. Tranzystory są prawdopodobnie odnawiane wizualnie i polerowane. Na stronie radiatora widać ślady polerowania oraz ślady polerownego lutu na nogach - nogi pełnej długości. Tranzystory są testowane wyrywkowo pod kątem stanu nasycenia. Możliwy zamiennik : SPT40N120F1CT8TL oraz ten model produkowany przez innego producenta IXGH60N100B, GT60N100B3, HGTG30N60A4D, IGW60T120

Specyfikacja

Podstawowe informacje

Rodzaj
  • Tranzystory
Producent
  • Se